DMTH4005SK3Q-13

DMTH4005SK3Q-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，并封装于TO-252（DPAK）表面贴装封装中。该器件基于稳健的硅基工艺构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。其栅极结构经过优化，能够在提供高电流处理能力的同时，保持良好的栅极控制特性，这对于需要快速切换和高效率的应用至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压和50A漏极电流条件下，其最大值仅为4.5毫欧。这一低阻值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在49.1nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化电源电路设计并提升开关频率潜力。

在电气参数方面，DMTH4005SK3Q-13具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和高达95A的连续漏极电流（Tc）能力，确保了在严苛工况下的可靠性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了宽裕的安全工作范围。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，并符合AEC-Q101标准，这标志着其满足汽车电子应用的严格质量与可靠性要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品，确保原装正品和技术支持。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和符合汽车级标准的可靠性，这款MOSFET非常适用于对效率和耐用性有高要求的领域。其主要应用场景包括汽车系统中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器，以及工业电源管理和电池保护电路。其TO-252封装提供了良好的功率耗散能力（Tc条件下最大100W），并便于自动化表面贴装生产，适合高密度PCB布局。

• 型号:DMTH4005SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 95A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3062 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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