DMTH6009SPS-13

DMTH6009SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装。该器件专为要求严苛的汽车电子及高效率电源应用而设计，其核心架构基于优化的沟槽式MOSFET技术，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。通过精心的芯片布局与封装热设计，它在紧凑的占板面积内实现了卓越的电流处理能力和功率耗散水平。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气参数组合。其最大漏源电压(Vdss)为60V，为常见的12V和24V汽车总线系统提供了充足的电压裕量。在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至10毫欧@20A，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为29.3nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗，特别适合高频开关应用。其阈值电压(Vgs(th))设计合理，确保了在微控制器或逻辑电平驱动下的可靠开启，同时具备良好的抗干扰能力。

在接口与参数方面，该器件支持宽范围的栅极驱动电压，最大可达±20V，提供了设计的灵活性。其工作结温范围极宽，从-55°C延伸至175°C，完全满足汽车级应用对极端环境温度的要求。表面贴装的PowerDI5060-8封装不仅优化了散热路径，其紧凑的尺寸也有助于实现高功率密度的PCB设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

基于其高可靠性、高效率和小尺寸的特点，DMTH6009SPS-13非常适合应用于汽车领域的负载开关、电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)中的保护电路。此外，在工业电源、通信设备电源模块及各类便携式设备的功率管理电路中，它同样是实现高效、紧凑解决方案的理想选择。

• 型号:DMTH6009SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.9A（Ta），89.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1572 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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