DMTH4008LPSQ-13

作为一款面向严苛应用环境设计的功率MOSFET，DMTH4008LPSQ-13采用了先进的N沟道金属氧化物半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的统一。该器件基于优化的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻，从而在紧凑的封装内实现了优异的电流处理能力。其栅极结构经过特别设计，确保了快速开关特性和稳定的阈值电压，这对于高频开关应用中的损耗控制和系统稳定性至关重要。

在电气性能方面，该MOSFET展现出卓越的导通特性，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和10A Id条件下仅为8.8毫欧，这意味着在导通状态下产生的传导损耗极低，有助于提升整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在15.3nC，结合适中的输入电容，有效降低了驱动电路的负担和开关损耗，使得它特别适合高频PWM控制场景。其宽泛的栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，提供了更强的抗干扰能力和设计裕度。

该器件的接口与参数设定充分考虑了工业与汽车应用的鲁棒性需求。其漏源击穿电压（Vdss）为40V，提供了足够的电压余量。电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达14.4A，而在借助良好散热条件（壳温Tc）时更能支持高达64.8A的电流，展现了强大的功率吞吐潜力。其工作结温范围极宽，从-55°C延伸至175°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，便于高密度PCB布局。

凭借其通过AEC-Q101认证的汽车级品质，DIODES一级代理提供的DMTH4008LPSQ-13非常适用于对可靠性和性能有高要求的领域。其主要应用场景包括汽车电子中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、电池管理系统（BMS）的充放电控制，以及工业电源中的DC-DC转换器、同步整流和OR-ing电路。在这些应用中，其低导通电阻、快速开关能力和宽温工作特性能够有效提升能效，减少热设计复杂度，并保障系统长期可靠运行。

• 型号:DMTH4008LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.4A（Ta），64.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1088 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.99W（Ta），55.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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