DMTH41M8SPS-13

DMTH41M8SPS-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其设计重点在于优化功率密度与热性能的平衡，使其能够在紧凑的封装内承载大电流，同时维持高效的能量转换。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源电压（Vdss）为40V，在25°C壳温条件下连续漏极电流（Id）高达100A，展现出强大的电流处理能力。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A电流条件下，Rds(On)最大值仅为1.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动设计兼容性强，最大栅源电压（Vgs）为±20V，而典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了在标准逻辑电平下的可靠开启。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在79.5nC，结合6968pF的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB设计。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。最大功率耗散为3.03W，结合其低热阻封装，能够有效管理工作中产生的热量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取产品详情、技术资料和采购服务。

基于其高电流、低导通电阻和快速开关的特性，DMTH41M8SPS-13非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和功率转换模块、电动工具和无人机中的电机驱动与控制电路，以及各类负载开关和电源管理单元。在这些应用中，它能够有效提升整体能效，减少热量产生，并帮助实现更小、更轻的系统设计。

• 型号:DMTH41M8SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6968 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.03W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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