DMTH43M8LFGQ-13

作为一款面向严苛应用环境设计的功率开关器件，DMTH43M8LFGQ-13采用了先进的沟槽式MOSFET技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能。该器件基于N沟道设计，通过优化的单元结构和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气特性平衡，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

在功能特性方面，该器件最突出的表现是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，其Rds(On)典型值仅为3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。其栅极电荷(Qg)最大值控制在40.1nC，结合优化的内部电容特性，有助于降低开关损耗，并简化驱动电路设计，使得其在高频开关应用中也能保持出色的性能。高达100A的连续漏极电流（Tc条件下）和40V的漏源击穿电压，为其在较大功率场景下的稳定运行提供了充足的裕量。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了可靠性与易用性。其驱动电压范围兼容标准的逻辑电平，Vgs(th)阈值电压最大值为2.5V，确保了与主流控制器的良好兼容性。器件采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并且通过了AEC-Q101认证，满足汽车级应用的可靠性要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

基于其高电流能力、低导通电阻和汽车级可靠性，DMTH43M8LFGQ-13非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括汽车电子系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、以及DC-DC转换器中的同步整流和主开关。在工业电源、电动工具和电池管理系统（BMS）中，它也能作为高效的功率开关元件，有效管理能量流并提升系统功率密度。

• 型号:DMTH43M8LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMTH43M8LFGQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。