DMTH43M8LK3Q-13

Diodes Incorporated推出的DMTH43M8LK3Q-13是一款采用先进沟槽工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能，通过优化的单元设计和封装技术，在40V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够高效处理高达100A（Tc）的连续漏极电流。该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至毫欧级别，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。

该MOSFET的功能特点突出表现在其优异的电气参数上。3.6毫欧@20A,10V的最大导通电阻确保了在大电流应用中的低功耗表现。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V @ 250A，与标准的5V或3.3V逻辑电平兼容性好，便于驱动电路设计。同时，38.5nC @ 10V的最大栅极电荷（Qg）和2693pF @ 20V的输入电容（Ciss）共同决定了其快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提升系统频率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，DMTH43M8LK3Q-13采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热能力和便于自动化生产的优势。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了安全的驱动裕量。最大功率耗散为88W（Ta），结合其低热阻封装，能够有效管理热性能。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关速度，DMTH43M8LK3Q-13非常适用于对效率和功率密度要求较高的应用场景。典型应用包括同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器中的负载开关以及各类电源管理模块，特别是在服务器电源、工业电源、电动工具和汽车电子等领域的功率转换环节中，能够有效提升系统性能和可靠性。

• 型号:DMTH43M8LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2693 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:88W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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