DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其N沟道架构提供了优异的电子迁移率，结合优化的单元结构，有效降低了导通电阻与栅极电荷，为高频开关应用奠定了物理基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能组合。60V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够稳健地应对汽车电子环境中常见的负载突降和瞬态电压。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）高达100A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，其在10V驱动电压、25A测试条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.1毫欧，这一极低的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，4.5V的低栅极驱动电压确保了与主流微控制器和驱动IC的良好兼容性，而最大栅极电荷（Qg）仅为47.4nC，这有助于降低开关损耗，提升开关频率，从而允许使用更小的外围磁性元件。

在接口与可靠性参数方面，该器件提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温），完全满足汽车应用的严苛环境要求。其采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，该封装具有极低的热阻和优异的散热性能，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达138W，确保了在高功率应用中的长期可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及其技术支持。其输入电容（Ciss）和栅源阈值电压（Vgs(th)）等参数均经过精心优化，在保证快速开关响应的同时，也兼顾了抗干扰能力和驱动简易性。

凭借其高电流、低导通电阻和车规级可靠性，DMTH6004LPSQ-13非常适合于对效率和空间有严格要求的应用场景。其主要应用领域包括汽车系统中的电机驱动（如水泵、风扇、车窗升降器）、DC-DC转换器（尤其是同步整流端）、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及工业电源和电机控制。在这些场景中，它能够有效提升能效，减少系统体积，并保证在振动、高温等恶劣条件下的稳定运行。

• 型号:DMTH6004LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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