DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡。其核心架构基于优化的单元设计，旨在显著降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），这两项关键参数的改善直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在常见的中压应用场景中提供了充足的安全裕量。其导通电阻在10V驱动电压（V_GS）和13.5A漏极电流条件下，最大值仅为10毫欧，这一低R_DS(on)特性确保了在导通状态下产生最小的压降和热量。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2V，并与4.5V/10V的驱动电压规格相结合，使其既能兼容低电压逻辑电平驱动，也能在标准10V驱动下实现最优性能，为设计提供了灵活性。

在动态特性方面，最大栅极电荷（Q_g）为33.5nC，结合1925pF的输入电容（C_iss），表明该器件具有较快的开关速度，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。其电流处理能力突出，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）高达59A，而在环境温度（T_A）下为14.2A，配合高达60W（T_C）的功率耗散能力，使其能够应对高电流负载。宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关服务。

综合其电气参数，DMTH6009LK3Q-13非常适用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其表面贴装形式和稳健的热性能使其成为空间受限的现代电子设备中功率开关部分的理想选择。

• 型号:DMTH6009LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A（Ta），59A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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