DMTH6009LPS-13

Diodes Incorporated推出的DMTH6009LPS-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为优化热性能和空间利用率而设计的表面贴装型封装，其紧凑的占位面积使其非常适合空间受限的现代电子应用。芯片内部结构经过精心优化，以实现极低的导通电阻和快速的开关特性，这直接关系到系统整体的能效与动态响应速度。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。它具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，增强了在负载突降等瞬态条件下的可靠性。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下，最大值仅为10毫欧，这一极低的数值意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低，从而提升了系统效率并减少了热管理需求。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为15.6nC @ 4.5V，较低的Qg值使得驱动电路的设计更为简单，并能实现更快的开关速度，有效降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，DMTH6009LPS-13提供了宽泛的工作条件以适应严苛环境。其驱动电压范围覆盖4.5V至10V，兼容标准逻辑电平与更高驱动电平，增强了设计灵活性。器件支持-55°C至175°C的结温(TJ)工作范围，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严格要求。其功率处理能力出色，在壳温(Tc)条件下最大功率耗散可达136W，结合PowerDI5060封装优异的散热能力，确保了在高负载下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料和采购支持。

基于其高性能和车规级认证，该器件主要面向对效率、可靠性和空间有严格要求的应用场景。它是汽车系统中电机驱动（如风扇、泵）、LED照明驱动、DC-DC转换器（尤其是同步整流侧）以及电池管理系统（BMS）中负载开关的理想选择。在工业领域，同样适用于电源、电机控制和功率分配模块。其低导通电阻和快速开关特性的结合，使其能够在提升能效的同时，有效减小系统中磁性元件的体积，助力实现更紧凑、更高效的电源与驱动解决方案设计。

• 型号:DMTH6009LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.76A（Ta），89.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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