DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率器件，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用优化的单元结构，在PowerDI5060-8紧凑型封装内集成了高性能的硅基MOSFET，这种架构有效降低了寄生参数，为开关电源和电机驱动等应用提供了快速开关与低导通损耗的平衡基础。其沟道技术经过特别优化，确保了在宽泛的工作温度范围内（-55°C至175°C结温）保持稳定的电气特性。

该器件的显著优势体现在其卓越的导通性能与开关特性上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至8毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在41.3nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的抗干扰能力和驱动灵活性。

在电气参数方面，DMTH6010LPSQ-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对常见的24V或48V总线系统中的电压尖峰。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下额定为13.5A，而在通过封装有效散热（Tc）的条件下可高达100A，展现了强大的电流处理能力。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或专用驱动器直接驱动。该器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，其紧凑的占板面积和优化的热性能，使其非常适合高密度PCB布局，用户可通过DIODES授权代理获取完整的技术支持和供应链服务。

基于其高性能与高可靠性，该MOSFET广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器（尤其是同步整流和负载点转换）、电机驱动模块（如无人机、电动工具中的有刷或无刷直流电机驱动）、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及各类工业自动化设备中的电源开关和逆变器电路。其坚固的设计使其能够胜任对效率和空间均有严苛要求的现代电子系统。

• 型号:DMTH6010LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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