DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造，封装于TO-252-4L（DPAK）表面贴装封装中，专为要求高可靠性和高性能的汽车及工业应用环境而设计。

该器件基于优化的垂直沟道架构，实现了极低的导通电阻，在Vgs=10V、Id=20A的条件下，Rds(On)最大值仅为8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效，对于电池供电系统或任何关注热管理的应用至关重要。其栅极电荷(Qg)最大值控制在38.1nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化了栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，DMTH6010SK3Q-13具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量以应对负载突降等瞬态事件。其连续漏极电流能力在环境温度(Ta)下为16.3A，在管壳温度(Tc)下可达70A，展现出强大的电流处理能力。栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行，这也是其通过汽车级认证的关键指标之一。

凭借其高可靠性、高效率和高功率密度的特点，此MOSFET非常适合用于汽车领域的各种功率开关与控制应用，例如电动助力转向(EPS)、燃油泵/水泵驱动、LED照明驱动以及车身控制模块(BCM)中的负载开关。在工业领域，它同样适用于DC-DC转换器、电机驱动控制器和电源管理单元。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，以确保原厂正品和技术支持。

• 型号:DMTH6010SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.3A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2841 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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