DMTH6016LK3Q-13

作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品，DMTH6016LK3Q-13是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通损耗与优异的开关性能平衡，通过优化的单元设计，在紧凑的封装内实现了低栅极电荷（Qg）与低导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这对于提升系统效率与功率密度至关重要。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻典型值低至17毫欧（@10A），这一特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并兼容宽范围的栅极驱动电压（最大±20V），确保了与多种控制逻辑电路的稳定兼容性和强健的驱动抗干扰能力。同时，极低的栅极电荷（最大17nC @ 10V）和输入电容（Ciss）显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得它在高频开关应用中能够保持高效率，这对于现代开关电源和电机驱动设计是核心优势。

在电气参数方面，DIODES芯片代理提供的这款MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达10.8A，而在借助封装良好散热（Tc）的条件下更能支持高达46.9A的电流，展现了强大的功率输出潜力。器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热特性，最大结温（TJ）支持-55°C至175°C的宽范围，确保了在严苛环境下的可靠运行。

基于其稳健的汽车级认证和优异的性能参数，DMTH6016LK3Q-13非常适用于对可靠性和效率有高要求的应用场景。典型应用包括汽车电子系统中的负载开关、电机控制（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及工业电源和电池管理电路。其设计充分满足了现代电子系统对高功率密度、高效率和高温环境下长期稳定工作的需求。

• 型号:DMTH6016LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta），46.9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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