DMTH8003SPS-13

作为一款高性能的功率开关器件，DMTH8003SPS-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽栅极设计。这种设计在保证高耐压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了优异的功率密度和效率。器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为大电流应用优化的表面贴装封装，其紧凑的尺寸和增强的热性能设计，使其能够在高功率密度布局中稳定工作。

该器件在功能上表现出色，其漏源电压（Vdss）高达80V，并能在25°C壳温下持续承受高达100A的漏极电流。其导通电阻（Rds(On)）极低，在10V栅极驱动电压和30A漏极电流条件下，典型值仅为3.9毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力，而最大栅源电压（Vgs）支持±20V，提供了宽裕的驱动设计空间。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过平衡，有助于实现快速开关并降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，DIODES中国代理提供的这款器件提供了全面的电气规格。其功率耗散能力为2.9W，结合PowerDI5060-8封装出色的热阻特性，能够有效管理热量。器件的工作结温范围极宽，从-55°C到175°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。这些参数共同定义了一个坚固且高效的功率开关解决方案，适用于对空间、效率和可靠性均有高要求的现代电子系统。

基于其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，DMTH8003SPS-13非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的高边或低边开关、电机驱动控制以及各类工业电源系统。其表面贴装形式也使其成为空间受限的紧凑型设计的理想选择，能够帮助工程师在提升功率密度的同时，保证系统的长期稳定运行。

• 型号:DMTH8003SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:124.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8952 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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