DMWSH120H22SCT7技术参数详情:
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- 型号:DMWSH120H22SCT7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-263-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:SIC MOSFET BVDSS: \\u003e1000V TO263-7
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):103A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 50A,18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3,6V @ 17,7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):220 nC @ 18 V
- Vgs(最大值):+22V,-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3959 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):356W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263-7
- 封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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