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MBR10200CDTR-E1

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MBR10200CDTR-E1技术参数详情:

MBR10200CDTR-E1是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装TO-252-3(DPak)封装的双肖特基二极管阵列。该器件内部集成了一对采用共阴极连接的肖特基二极管,这种紧凑的集成化架构有效节省了PCB空间,简化了电路布局,特别适用于需要双二极管进行整流或续流功能的场合。其核心采用了肖特基势垒技术,与普通PN结整流二极管相比,具有更低的正向压降和更快的开关速度,这直接提升了系统的整体效率并降低了开关损耗。

该器件的关键电气性能表现突出。其最大反向重复电压高达200V,每只二极管可承受5A的平均整流电流,在5A的额定电流下,典型正向压降仅为950mV,这有助于显著降低导通状态下的功率耗散和温升。其开关特性属于快速恢复类型,恢复时间短于500ns(在大于200mA的条件下),这使得它在高频开关电路中能有效减少反向恢复电流带来的损耗和噪声干扰。此外,在200V反向电压下的典型反向漏电流仅为150A,体现了良好的反向阻断特性。器件结温最高可承受150°C,确保了在严苛环境下的工作可靠性。

在接口与参数方面,MBR10200CDTR-E1采用标准的TO-252-3封装,包含两个功能引脚和一个用于散热和机械固定的接片,便于自动化贴装和焊接。其电气参数,如高耐压、大电流能力、低Vf和快速恢复特性,共同构成了其在功率管理应用中的核心竞争力。对于需要可靠供应链支持的客户,通过正规的DIODES一级代理进行采购是确保获得原装正品和稳定供货的重要途径。

基于其技术特性,这款肖特基二极管阵列非常适合应用于开关电源(SMPS)的次级侧整流、DC-DC转换器、高频逆变器以及电机驱动电路中的续流二极管等场景。其快速恢复能力使其在PWM控制的高频电路中表现优异,而高耐压和良好的热特性则能满足工业级电源和汽车电子辅助系统等对可靠性要求较高的领域需求,尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值。

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