DIODES MBR10200CDTR-G1 肖特基势垒整流器 20A 100V 双共阴极 TO-252封装

MBR10200CDTR-G1技术参数详情：

MBR10200CDTR-G1是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装TO-252（DPak）封装的双肖特基二极管阵列。该器件内部采用1对共阴极配置，将两个独立的肖特基整流二极管集成在单一封装内，这种架构不仅节省了PCB空间，还简化了电路布局，特别适用于需要紧凑型设计的电源管理模块。其核心基于肖特基势垒技术，利用金属与半导体接触形成的势垒进行整流，这使其在保持较低正向压降的同时，实现了比传统PN结二极管更快的开关速度。

该器件的主要功能特点体现在其优异的电气性能上。它具备高达200V的反向重复峰值电压（VRRM），为许多中压应用提供了充足的裕量。在5A的额定平均整流电流下，其典型正向压降仅为950mV，这一低Vf特性意味着在导通期间产生的功耗和热量显著降低，有助于提升系统整体效率。作为一款快速恢复二极管，其开关速度极快，反向恢复时间通常小于500纳秒，这能有效减少开关电源中的开关损耗和电压尖峰，提升高频工作的稳定性。此外，其在200V反向电压下的典型反向漏电流仅为150A，表现出良好的反向阻断能力。

在接口与参数方面，该芯片采用标准的TO-252-3封装，包含两个阳极引脚和一个公共阴极引脚（与散热接片相连），便于焊接和散热管理。其工作结温最高可达150°C，确保了在高温环境下的可靠运行。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案，但仍有库存可用于现有产品的维护与生产，用户可通过正规的DIODES一级代理渠道进行咨询和采购。

基于其高电压、大电流、低损耗和快速开关的特性，MBR10200CDTR-G1非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的次级整流、DC-DC转换器、续流二极管以及极性保护电路等场景。例如，在AC-DC适配器、工业电源或通信设备的电源单元中，它可以高效地完成高频整流任务，同时其紧凑的封装形式满足了现代电子设备对高功率密度的追求。