MBR1060CTF-G1

MBR1060CTF-G1是一款由Diodes Incorporated设计生产的高性能肖特基二极管阵列。该器件采用TO-220-3通孔封装，内部集成了一对共阴极配置的肖特基整流二极管，专为高效率、低功耗的功率整流应用而优化。其核心架构基于先进的肖特基势垒技术，利用金属与半导体接触形成的势垒进行单向导电，相较于传统PN结整流器，显著降低了正向导通压降和开关损耗。

该芯片的核心优势在于其卓越的电气性能。其最大反向工作电压高达60V，为电路提供了可靠的电压裕量。每只二极管在环境温度下可承受5A的平均整流电流，双管共阴极的配置使其特别适用于需要中心抽头或全波整流的拓扑结构。更关键的是，在5A的额定电流下，其典型正向压降仅为750mV，这一极低的Vf值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，尤其在对能效要求严苛的应用中优势明显。

在动态特性方面，MBR1060CTF-G1具备快速恢复特性，其反向恢复时间极短，通常小于500纳秒，这有效减少了开关过程中的反向恢复电流和由此产生的开关噪声及损耗，使其能在较高频率下稳定工作。同时，在最高60V的反向电压下，其反向漏电流典型值控制在100A级别，展现了出色的反向阻断能力。其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了器件在苛刻环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品货源和技术支持。

综合其参数与特性，MBR1060CTF-G1非常适合于开关电源（SMPS）的次级侧整流、DC-DC转换器、极性保护电路以及电机驱动和逆变器中的续流二极管等应用场景。其TO-220封装便于安装在散热器上，有效管理由5A电流带来的热耗散，是工程师在设计中追求高效率、高功率密度和高温可靠性的优选器件。

• 制造商产品型号：MBR1060CTF-G1
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220
• 系列：二极管 - 整流器 - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• 二极管配置：1 对共阴极
• 二极管类型：肖特基
• 电压-DC反向(Vr)（最大值）：60V
• 电流-平均整流(Io)（每二极管）：5A
• 不同If时电压-正向(Vf)：750mV @ 5A
• 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间(trr)：-
• 不同Vr时电流-反向泄漏：100A @ 60V
• 工作温度-结：-55°C ~ 150°C
• 安装类型：通孔
• 封装：TO-220-3 整包
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