DIODES MBR2035CT 肖特基整流二极管 20A 35V TO-220AB封装

MBR2035CT技术参数详情：

MBR2035CT是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的TO-220AB封装肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置，集成了两个独立的肖特基整流二极管，其阴极在内部连接至公共引脚。这种紧凑的阵列设计有效节省了PCB空间，简化了需要双二极管或全波整流桥一部分的电路布局，同时确保了两个二极管单元之间良好的一致性。

该芯片的核心优势在于其肖特基势垒特性，这使其在正向导通时具有极低的正向压降，典型值仅为840mV @ 20A。这一特性直接转化为更高的效率和更低的功率损耗，尤其是在大电流应用中。同时，它具备快速开关能力，恢复时间极短（快速恢复 ≤ 500ns），这使其在高频开关电源、DC-DC转换器等场景中能有效减少开关损耗和抑制电压尖峰，提升系统整体性能。其反向漏电流在35V反向电压下典型值为100A，处于较低水平。

在电气参数方面，DIODES代理提供的规格书显示，MBR2035CT的每个二极管可承受20A的平均整流电流，最大反向直流电压为35V。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。器件采用标准的TO-220-3通孔封装，便于安装散热器以应对大电流工作下的热管理需求，其机械结构坚固，适合工业级应用。

基于其高电流能力、低导通损耗和快速开关特性，MBR2035CT非常适用于开关电源（SMPS）的次级整流、DC-DC转换器的输出整流、电机驱动电路中的续流二极管以及极性保护电路等领域。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计中，它仍然是一个经典且性能可靠的选择，体现了肖特基整流技术在功率处理与效率平衡方面的成熟设计。