MMBF170-7

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道增强型MOSFET，MMBF170-7采用了成熟的平面MOSFET技术，其核心架构基于硅基半导体工艺。该器件在紧凑的SOT-23-3封装内集成了高性能的栅极氧化层和优化的沟道设计，确保了在较宽的电压和温度范围内稳定工作。其结构旨在实现快速开关与低导通损耗的平衡，这对于提升系统效率至关重要。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在众多应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，为处理中压电平提供了充足的裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为500mA，能够驱动多种中小功率负载。其导通特性尤为突出，在10V栅源驱动电压（Vgs）和200mA漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为5欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗和温升。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在动态性能方面，DIODES一级代理提供的官方资料显示，MMBF170-7的输入电容（Ciss）在10V漏源电压下最大值为40pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关速度，减少开关过渡过程中的损耗。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极过压冲击能力。器件的功率耗散能力在环境温度下为300mW，结合其SOT-23-3的表面贴装封装形式，非常适合高密度PCB布局。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在苛刻环境下的可靠性。

基于其60V的耐压、500mA的电流能力以及优异的开关特性，MMBF170-7非常适合用于需要高效功率切换或信号路径选择的场合。典型应用包括便携式设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或低侧开关、电池管理电路中的保护开关，以及模拟信号或数据线的多路复用器。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和参数特性仍为选择替代方案或理解同类器件性能提供了重要参考。

• 型号:MMBF170-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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