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MMSZ5228B-7-F

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MMSZ5228B-7-F技术参数详情:

MMSZ5228B-7-F是Diodes Incorporated推出的一款表面贴装齐纳二极管,采用紧凑的SOD-123封装。该器件基于成熟的平面硅工艺制造,其核心是一个经过精确掺杂和钝化处理的PN结,能够在反向击穿区域提供稳定且可重复的电压基准。其结构设计优化了热性能和电气稳定性,确保在宽温度范围内维持一致的齐纳电压特性。

该二极管的核心功能是在反向偏置时,当电压达到其标称击穿值后,提供一个稳定的3.9V基准电压,容差为±5%。其最大功率耗散为500mW,足以应对多种电路中的瞬态能量吸收需求。在电气特性方面,它在齐纳测试电流下的动态阻抗(Zzt)最大值为23欧姆,这表明其电压调节性能良好。同时,其反向漏电流极低,在1V反向电压下仅为10A,有助于降低待机功耗。正向导通时,在10mA电流下的压降(Vf)典型值为900mV。

作为一款表面贴装器件,它专为自动化贴装工艺设计,兼容回流焊。其工作温度范围极宽,覆盖-65°C至150°C,使其能够适应工业、汽车及消费电子等严苛环境。对于需要稳定供应和原厂技术支持的项目,通过DIODES一级代理进行采购是保障供应链可靠性的重要途径。

凭借其稳定的电压箝位和基准生成能力,MMSZ5228B-7-F广泛应用于需要过压保护的端口(如USB、GPIO)、电源轨的稳压、以及作为ADC参考电压源或逻辑电平转换的基准。其小尺寸和可靠性也使其成为空间受限的便携式设备和模块化设计的理想选择。

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