SBR12E45LH1-13

Diodes Incorporated推出的SBR12E45LH1-13是一款采用先进超级势垒整流器（Super Barrier Rectifier， SBR）技术的高性能功率二极管。该器件基于优化的半导体工艺架构，其核心在于通过创新的势垒工程，在传统肖特基二极管的基础上，显著降低了正向压降并改善了高温下的反向漏电特性，从而在效率和热性能之间实现了优异的平衡。

该器件在12A额定电流下的典型正向压降仅为520mV，这一低Vf特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其反向重复峰值电压高达45V，并具备标准恢复速度，适用于多种开关电源拓扑。同时，在45V反向电压下的漏电流典型值仅为300A，确保了在高温工作环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原厂正品和技术支持。

在物理封装方面，SBR12E45LH1-13采用了表面贴装型的PowerDI 5SP封装。这种紧凑的封装设计不仅提供了优异的散热性能，有助于器件在满载条件下稳定工作，还最大限度地节省了PCB板空间，非常适合于高功率密度的现代电子设备设计。其封装形式也便于自动化生产，提升了制造效率。

凭借其45V/12A的额定参数、低导通损耗和良好的热特性，这款SBR二极管非常适合应用于高效率DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动电路中的续流二极管，以及各类电源的次级侧整流等场景。它是工程师在追求系统效率最大化、温升最小化以及布局紧凑化时的理想选择之一。

• 型号:SBR12E45LH1-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5SP
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 45V 12A POWERDI5SP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:45 V
• 电流 - 平均整流 (Io):12A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 12 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 45 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5SP
• 供应商器件封装:PowerDI5SP
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
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