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SBR660CTLQ-13

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SBR660CTLQ-13技术参数详情:

SBR660CTLQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装TO-252-3(DPak)封装的整流二极管阵列。该器件采用一对共阴极配置的超级势垒整流器(SBR)技术,构成了一个高效、紧凑的整流解决方案。其核心架构基于SBR技术,该技术通过引入低势垒金属-半导体结,在保持肖特基二极管快速开关特性的同时,显著降低了反向漏电流并提高了反向击穿电压的稳定性,从而在效率和可靠性之间取得了优异平衡。

在功能特性上,该器件展现出卓越的性能。其最大直流反向电压(Vr)高达60V,每二极管平均整流电流(Io)为3A,能够承受较高的功率负载。尤为突出的是其极低的正向压降(Vf),在3A电流下典型值仅为570mV,这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生,提升了系统整体能效。其标准恢复速度适用于多数中低频开关应用,而500A @ 60V的低反向漏电流特性则确保了在关断状态下的功耗极小,这对于提升待机效率至关重要。其工作结温范围宽广,从-65°C到150°C,保证了在严苛环境下的稳定运行。

该器件采用TO-252-3封装,提供两个引脚和一个散热接片,便于PCB布局和散热管理。其紧凑的表面贴装形式适合自动化生产。关键电气参数,如高耐压、大电流能力、低Vf和低漏电流,共同定义了其高性能边界。对于需要可靠电源方案的开发者,通过正规的DIODES芯片代理渠道获取,是确保元器件质量和供货支持的重要途径。

基于其性能组合,SBR660CTLQ-13非常适合应用于对效率和空间有要求的功率整流场景。典型应用包括开关电源(SMPS)的次级侧整流、DC-DC转换器的输出整流、电机驱动电路中的续流二极管,以及各类适配器、充电器中的整流模块。其共阴极阵列配置尤其适用于需要两个二极管以共阴形式工作的桥式电路或极性保护电路,能够有效减少PCB占用面积并简化布线。

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