SBRT4U60LP-7

作为一款采用先进超级势垒整流器（SBR）技术的功率器件，SBRT4U60LP-7在核心架构上实现了低正向压降与高反向击穿电压的优异平衡。其内部结构通过独特的电荷平衡机制，有效降低了传统肖特基二极管在高压下反向漏电流过大的问题，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该器件的功能特点十分突出，其520mV @ 4A的极低正向压降显著降低了导通损耗，直接提升了系统的整体能效。同时，它具备60V的最大反向工作电压和4A的平均整流电流能力，确保了在严苛工况下的可靠性与稳定性。其标准恢复速度适用于大多数开关电源拓扑，而180pF @ 5V的低结电容特性有助于减少开关过程中的高频噪声和损耗，优化电磁兼容性（EMC）表现。

在接口与参数方面，SBRT4U60LP-7采用表面贴装型U-DFN3030-8封装，具有紧凑的占板面积和良好的热性能，便于在空间受限的现代电子设备中集成。其反向漏电流在60V时典型值仅为150A，进一步印证了其在高温和高压下的出色表现。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

基于其高效、紧凑和可靠的特点，该芯片非常适合应用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动电路的反激或续流二极管，以及各类消费电子、工业控制和汽车辅助系统的电源管理模块中。它能够有效解决传统整流方案中效率瓶颈与温升问题，是实现高功率密度和绿色能源设计的关键元器件之一。

• 型号:SBRT4U60LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 60V 4A U-DFN3030-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 4 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 A @ 60 V
• 不同Vr、F 时电容:180pF @ 5V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
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