VN10LPSTOA

VN10LPSTOA是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管器件。该器件采用经典的平面硅栅工艺制造，其核心架构基于金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过在栅极施加电压来控制源极和漏极之间导电沟道的形成与关断，从而实现高效的信号切换与功率控制功能。

该器件的一个显著特点是其60V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够耐受相对较高的电压应力，适用于多种低压至中压的开关场景。在导通特性方面，当栅源电压(Vgs)为10V时，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，这有助于在导通状态下减少功率损耗，提升整体能效。其270mA的连续漏极电流(Id)能力，结合仅60pF的输入电容(Ciss)，意味着它能够以较快的速度响应栅极驱动信号，实现迅速的开关动作，这对于需要高频操作的电路至关重要。

在接口与电气参数方面，DIODES芯片代理提供的资料显示，VN10LPSTOA的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，且其驱动电压范围宽至±20V，这为逻辑电平（如5V微控制器）直接驱动提供了良好的兼容性，简化了外围驱动电路的设计。器件采用通孔安装的E-Line封装，外形与经典的TO-92封装兼容，便于在实验板或传统PCB上进行手工焊接与测试。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的可靠性，最大功耗为625mW。

基于上述技术特性，VN10LPSTOA非常适合应用于对空间和成本敏感，同时要求一定开关速度和电压耐受能力的场合。典型应用包括低功率DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、信号路径的切换与调制、继电器或小型电机的驱动接口，以及各类消费电子和工业控制板卡中的通用开关与放大功能。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量项目或对兼容性有严格要求的设计中仍具参考价值。

• 型号:VN10LPSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3，成型引线
• 现在可以订购VN10LPSTOA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。