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ZHB6718TC

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ZHB6718TC技术参数详情:

ZHB6718TC是Diodes Incorporated推出的一款高集成度双极性晶体管阵列,采用紧凑的SOT-223-8表面贴装封装。该器件内部集成了两个NPN和两个PNP晶体管,构成了一个典型的H桥或互补对阵列结构,这种设计显著优化了电路板空间利用率,并简化了需要成对或互补晶体管应用的电路设计。其核心架构旨在提供可靠的开关和放大功能,适用于中等功率的负载驱动场景。

该芯片的功能特点突出体现在其平衡的性能参数上。其集电极电流最大值达到2.5A,集射极击穿电压为20V,使其能够胜任多种电源和电机驱动应用。特别值得注意的是其优异的饱和特性,在2.5A的大电流下,Vce饱和压降最大值仅为200mV,这有助于降低导通状态下的功耗和热损耗,提升系统整体效率。同时,其直流电流增益(hFE)最小值高达200(测试条件为2A, 2V),确保了良好的电流驱动能力和信号放大线性度。高达140MHz的跃迁频率使其也能应对一定频率的开关或放大需求。

在接口与参数方面,ZHB6718TC提供了宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温),保证了其在苛刻环境下的稳定运行。最大功耗为1.25W,设计时需结合散热条件进行考量。其集电极截止电流低至100A,有助于降低待机功耗。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的DIODES芯片代理获取该产品的技术支持和库存信息。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在现有系统和备件市场中仍具价值。

基于其集成H桥结构和稳健的电气参数,ZHB6718TC非常适合于有刷直流电机的驱动、步进电机控制、继电器或螺线管驱动、电源管理电路中的互补开关,以及需要成对晶体管的各种音频放大或信号切换电路。其SOT-223封装兼顾了功率处理能力和空间节约,是空间受限的中等功率应用的经典选择。

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