ZVN0124ASTOA

Diodes Incorporated推出的ZVN0124ASTOA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的分立半导体器件。该器件基于成熟的平面型MOSFET架构，其核心在于利用金属氧化物半导体结构，通过在栅极施加电压来控制源极与漏极之间导电沟道的形成与关断，从而实现高效的电子开关功能。其设计优化了载流子迁移率与沟道电阻，确保了在特定工作条件下的稳定性能。

该MOSFET具备240V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够耐受较高的反向电压冲击，提升了在感性负载或存在电压尖峰环境下的可靠性。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、250mA漏极电流条件下典型值为16欧姆，这一特性对于小电流开关应用中的功耗控制至关重要。器件支持高达±20V的栅源电压(Vgs)，提供了较宽的驱动电压容限，而阈值电压(Vgs(th))最大值为3V（在1mA测试条件下），确保了与常见逻辑电平或微控制器IO口的良好兼容性，易于驱动。

在接口与封装方面，ZVN0124ASTOA采用经典的TO-92兼容E-Line通孔封装，便于在实验板或传统PCB上进行手工或波峰焊接安装。其静态参数表现均衡，在25V漏源电压下，输入电容(Ciss)最大值为85pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换并减少驱动电路的负担。器件在环境温度(Ta)下的最大连续漏极电流(Id)为160mA，最大功耗为700mW，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，展现了较宽的温度适应性。对于需要可靠供应的项目，可以通过授权的DIODES芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

凭借其高压、小电流和易于驱动的特性，该器件非常适合应用于各类低功率的开关与线性放大场景。典型应用包括家用电器、智能家居模块中的低侧开关，如继电器、小功率LED或蜂鸣器的驱动；在工业控制领域，可用于PLC模块的I/O端口隔离或信号切换；此外，也常见于消费电子产品的电源管理辅助电路、电池保护板以及老式或特定设计的线性稳压电源中，作为调整管或保护元件使用。

• 制造商产品型号：ZVN0124ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 240V 160MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：240V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：160mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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