ZVN0124ZSTOB

ZVN0124ZSTOB是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过优化的半导体工艺，在紧凑的封装内实现了对高压信号的可靠控制。该器件设计用于在较低的栅极驱动电压下，实现对中小电流负载的高效开关，其内部结构确保了在关断状态下具有较高的漏源击穿电压耐受能力。

该MOSFET的显著特性在于其240V的漏源击穿电压（Vdss）与10V的标准化栅极驱动电压的平衡组合。在10V的Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这对于减少导通状态下的功率损耗至关重要。同时，其最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了较强的栅极过压保护能力，增强了系统在瞬态条件下的鲁棒性。输入电容（Ciss）较小，有助于实现较快的开关速度，降低开关过程中的动态损耗。

在电气参数方面，DIODES芯片代理提供的规格书详细定义了其工作边界。器件在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为160mA，适用于中小功率的开关或线性调整应用。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V（在Id=1mA条件下测试），确保了与标准逻辑电平或微控制器I/O口的良好兼容性，无需复杂的电平转换电路。尽管该产品系列目前已处于停产状态，但其稳定的性能使其在存量设计或对成本敏感且无需频繁更迭的场合中仍具参考价值。

基于其高压、小电流和快速响应的特点，ZVN0124ZSTOB非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的辅助启动或偏置电源电路、电子镇流器、小功率电机驱动以及各类工业控制板卡中的高压侧开关或信号隔离驱动。其TO-92兼容的封装形式便于在实验板或空间有限的PCB上进行手工焊接与布局，为工程师在原型设计或小批量生产中提供了灵活的选择。

• 制造商产品型号：ZVN0124ZSTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 240V 160MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：240V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：160mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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