ZVN2110GTC

Diodes Incorporated推出的ZVN2110GTC是一款采用表面贴装SOT-223封装的N沟道增强型MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高效的电压控制开关功能。其栅极采用金属氧化物半导体结构，通过施加于栅源极之间的电压来控制导电沟道的形成与关断，从而实现漏源极之间电流的通路控制，这种设计在提供良好隔离的同时确保了快速的开关响应。

在电气特性方面，ZVN2110GTC具备100V的漏源击穿电压(Vdss)和500mA的连续漏极电流(Id)能力，这使其能够胜任中低压、小电流的开关应用。其导通电阻(Rds(On))在10V栅极驱动电压、1A电流条件下典型值为4欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。器件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路设计。此外，其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为75pF，较小的栅极电荷需求有助于实现更快的开关速度和降低驱动损耗。

该MOSFET的接口设计简洁，标准的SOT-223封装提供了良好的散热性能和紧凑的占板面积，适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。最大栅源电压(Vgs)为±20V，为栅极驱动提供了充足的电压裕度，增强了抗干扰能力。器件在25°C环境温度下的最大功耗为2W，在实际应用中需结合散热条件进行降额使用。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其参数特性，ZVN2110GTC非常适用于需要高效、紧凑型开关解决方案的领域。典型应用包括低功率DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电池供电设备中的电源管理模块、以及各类消费电子和工业控制设备中的信号切换与电机驱动电路。其SMT封装也使其成为自动化生产的理想选择。

• 型号:ZVN2110GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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