ZVN2120ASTZ

ZVN2120ASTZ是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET技术制造，其核心架构基于硅基半导体工艺，在单一芯片上集成了栅极、源极和漏极，并通过绝缘的二氧化硅层实现栅极与沟道的电隔离，从而确保了高输入阻抗和电压控制特性。其E-Line（TO-92兼容）通孔封装提供了经典的物理接口和可靠的散热路径，适合在多种通用电路板上进行手工或波峰焊接。

这款MOSFET具备200V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够耐受较高的关断状态电压，适用于存在电压尖峰或反电动势的应用环境。在导通特性方面，当栅源驱动电压（Vgs）达到10V时，器件可呈现较低的导通电阻，典型条件下在250mA漏极电流下其Rds(on)最大值为10欧姆。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性，便于驱动。此外，其输入电容（Ciss）典型值较低，有助于减少开关过程中的栅极驱动损耗和提升开关速度。

在电气参数上，DIODES代理提供的规格书显示，ZVN2120ASTZ在环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）额定值为180mA，最大功耗为700mW。其栅源电压可承受±20V的范围，为驱动电路的设计提供了充足的裕量。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在苛刻工业温度环境下的稳定性和可靠性。这些参数共同定义了一个适用于中小功率开关与放大场景的稳健解决方案。

基于其电压、电流及封装特性，ZVN2120ASTZ非常适合用于离线式开关电源的辅助启动电路、电子镇流器、小功率电机驱动、继电器或电磁阀的驱动接口，以及需要高压侧开关或信号电平转换的各类工业控制与消费电子模块中。其经典的TO-92兼容封装使其在原型设计、维修替换以及成本敏感型批量应用中仍保有一席之地，尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和明确的参数为现有系统的维护与部分新设计提供了明确的技术参考。

• 型号:ZVN2120ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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