ZVN4210GTC

Diodes Incorporated推出的ZVN4210GTC是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。其核心架构基于成熟的平面MOS工艺，在紧凑的SOT-223封装内实现了良好的电气性能平衡。该器件设计用于在中等电压和电流条件下提供高效的开关控制，其栅极结构优化了电荷控制效率，有助于降低开关过程中的动态损耗。

在功能特性上，ZVN4210GTC具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和800mA的连续漏极电流（Id）能力，为设计提供了可靠的电压裕量和电流处理基础。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源电压（Vgs）和1.5A电流条件下最大值为1.5欧姆，配合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)，最大2.4V @ 1mA），使其能够被标准的5V或3.3V逻辑电平轻松驱动，简化了驱动电路设计。此外，其输入电容（Ciss）最大值为100pF @ 25V，较小的栅极电荷需求有助于实现较高的开关频率并降低驱动功耗。

该器件的接口与参数设计充分考虑了工业应用的鲁棒性。其栅源电压可承受±20V的最大值，增强了抗栅极电压瞬态冲击的能力。表面贴装的SOT-223封装不仅节省了PCB空间，其约2W的功率耗散能力也确保了在-55°C至150°C结温范围内的稳定工作。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES一级代理获取此型号的原装产品与技术支援。

基于其参数组合，ZVN4210GTC非常适合应用于需要高效、紧凑型开关解决方案的领域。典型应用包括低功率DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、家用电器和工业控制板中的电机驱动（如小型风扇、泵浦）、以及电池管理系统的负载保护电路。其平衡的性能使其成为对成本、空间和可靠性均有要求的消费电子及工业自动化项目中一个实用的选择。

• 型号:ZVN4210GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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