ZVN4306ASTZ

ZVN4306ASTZ 是 Diodes Incorporated 推出的一款采用 N 沟道增强型 MOSFET 技术的功率开关器件。该器件基于成熟的平面型 MOS 结构设计，通过在硅衬底上生长高质量的栅极氧化层并形成金属或多晶硅栅极，实现了对沟道载流子的高效控制。其核心优势在于平衡了电压耐受能力与导通电阻，内部结构优化了电流路径，有效降低了寄生电容，从而在开关速度和导通损耗之间取得了良好折衷。

该 MOSFET 具备 60V 的漏源击穿电压 (Vdss)，为其在中等电压应用中的稳定运行提供了可靠保障。其导通特性尤为突出，在 10V 栅源驱动电压 (Vgs) 下，导通电阻 (Rds(on)) 典型值低至 330 毫欧（在 3A 条件下），这意味着在导通状态下，器件自身的功率损耗被控制在较低水平，有助于提升系统整体效率。其栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 3V，确保了与标准逻辑电平（如 5V MCU GPIO）的良好兼容性，能够被轻松驱动而无需复杂的电平转换电路。此外，其输入电容 (Ciss) 在 25V 条件下最大为 350pF，结合适中的栅极电荷，有助于实现较快的开关速度并降低驱动电路的负担。

在电气接口与参数方面，ZVN4306ASTZ 支持高达 ±20V 的栅源电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其连续漏极电流 (Id) 在环境温度 (Ta) 25°C 下额定值为 1.1A，最大功耗为 850mW。器件采用经典的 E-Line (TO-92 兼容) 通孔封装，这种封装形式成熟可靠，便于在原型开发或对空间要求不极端苛刻的 PCB 上进行手工或波峰焊接。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应从工业控制到消费电子等多种环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的 DIODES中国代理 获取产品、数据手册及设计资源。

凭借其参数组合，ZVN4306ASTZ 非常适合用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的场合。典型应用包括低功率 DC-DC 转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的 H 桥下管、继电器或螺线管的驱动替代，以及电池供电设备中的负载管理模块。其 TO-92 兼容封装也使其成为对成本敏感且需要通孔安装的消费类电子产品、适配器或智能家居控制板中的理想选择。

• 型号:ZVN4306ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:850mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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