ZVN4306GTC

ZVN4306GTC是Diodes Incorporated推出的一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，其核心在于通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的SOT-223封装内实现了优异的导通电阻与电压电流规格的平衡。其栅极结构采用硅栅工艺，确保了栅极控制的稳定性和可靠性，而源漏区的设计则旨在降低寄生参数，提升开关速度。

该MOSFET的关键特性体现在其60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达2.1A的连续漏极电流（Id）能力上，这使其能够胜任多种中等功率的开关应用。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、3A漏极电流条件下典型值仅为330毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准逻辑电平（5V）即可实现良好的导通，同时栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了较强的抗干扰能力。其输入电容（Ciss）典型值为350pF，有助于实现较快的开关速度，降低开关过程中的动态损耗。

在电气参数方面，ZVN4306GTC的阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 1mA，确保了与常见微控制器GPIO口的兼容性。其最大功耗为3W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了良好的热性能和环境适应性。器件采用表面贴装型SOT-223封装，这种封装在提供比SOT-23更大散热面积的同时，保持了较小的PCB占位面积，便于在空间受限的设计中进行热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品技术支持和供应服务。

凭借其平衡的性能参数，该器件非常适合应用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、负载开关、电池保护电路以及LED驱动等领域。其能够高效地处理电源路径上的开关任务，在消费电子、工业控制模块及便携式设备中发挥重要作用，为设计工程师提供了一个高性价比、高可靠性的功率开关解决方案。

• 型号:ZVN4306GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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