ZVN4424ASTOB

ZVN4424ASTOB是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET技术制造，其核心架构基于硅基半导体工艺，通过在栅极下方形成导电沟道来控制源极和漏极之间的大电流。其E-Line（TO-92兼容）通孔封装形式，为工程师提供了经典、可靠且易于手工焊接或波峰焊的物理接口，适合在多种电路板上进行部署。

该MOSFET具备240V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够稳健地工作在离线式电源适配器、功率因数校正（PFC）电路等存在高压应力的环境中。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值仅为1.8V @ 1mA，结合2.5V（最小）至10V（最大）的驱动电压范围，意味着它能够被微控制器（MCU）、逻辑芯片等低电压数字信号轻松且高效地驱动，实现信号的隔离与功率切换。在导通状态下，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、500mA Id条件下最大值为5.5欧姆，有助于在中小电流应用中降低导通损耗，提升整体能效。此外，其输入电容（Ciss）最大值为200pF @ 25V，较小的栅极电荷需求有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗。

在电气参数方面，DIODES一级代理通常强调其全面的规格保障。器件在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为260mA，最大功耗为750mW（Ta）。其栅源电压（Vgs）可承受±40V的峰值，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力，增强了系统的鲁棒性。宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C TJ）确保了其在苛刻的工业与消费电子环境中的稳定性和长期可靠性。

基于其高压、低驱动、中等电流处理能力及快速开关特性，ZVN4424ASTOB非常适用于一系列特定的应用场景。它常被用于AC-DC开关电源中的次级侧同步整流、小功率电机驱动控制、继电器或电磁阀的替代驱动电路，以及LED照明驱动中的功率开关环节。其经典的TO-92兼容封装也使其在原型设计、教育实验套件及需要通孔安装的紧凑型设备中备受欢迎。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场及特定延续性项目中仍具参考价值。

• 型号:ZVN4424ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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