ZVN4525GTA

ZVN4525GTA是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-223表面贴装器件中。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。该器件内部集成了快速恢复体二极管，为感性负载开关应用中的能量泄放提供了可靠路径，增强了系统的鲁棒性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达250V，使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正（PFC）电路等高压环境中的电压应力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计适中，最大值仅为1.8V，确保了与低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器GPIO）的兼容性，便于直接驱动，简化了外围电路设计。

在动态参数方面，DIODES授权代理提供的详细资料显示，ZVN4525GTA的栅极总电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均保持在较低水平。较低的Qg意味着在开关过程中对栅极驱动电路的需求功率更小，有助于实现更快的开关速度和更高的开关频率，这对于提升开关电源的功率密度至关重要。其最大栅源电压（Vgs）可承受±40V，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。器件采用SOT-223封装，在提供优于SOT-23的散热性能（最大功耗2W）的同时，保持了较小的占板面积，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了其在严苛环境下的稳定运行。

综合其高压、低导通损耗、易驱动及良好的封装散热特性，ZVN4525GTA非常适用于需要高效、紧凑设计的功率管理场合。典型应用包括AC-DC开关电源中的辅助电源开关、LED照明驱动、家用电器中的电机控制、以及各类离线式转换器的功率开关。其310mA的连续漏极电流能力，使其在小功率至中功率的精密控制领域，如电池管理系统（BMS）中的均衡电路或信号路径切换，也能发挥重要作用。

• 型号:ZVN4525GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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