ZVN4525GTC

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道功率MOSFET，ZVN4525GTC采用了成熟的平面型MOSFET技术。其核心架构基于金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过优化栅极氧化层和沟道设计，在确保高耐压的同时，实现了对栅极驱动信号的快速响应。该器件采用紧凑的表面贴装SOT-223封装，在有限的占板面积内提供了良好的热性能，其结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于宽温工作环境。

该器件的一个突出特性是其250V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业控制、离线式开关电源等场合中常见的电压应力和尖峰。在栅极驱动方面，它具备低至1.8V（最大值）的阈值电压（Vgs(th)）和2.5V至10V的推荐驱动电压范围，这意味着它可以与多种逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了系统设计。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和500mA Id条件下最大值为8.5欧姆，结合310mA的连续漏极电流能力，使其在小功率开关和线性调节应用中能有效控制导通损耗。

在动态参数上，ZVN4525GTC表现出优秀的开关特性。其最大栅极电荷（Qg）仅为3.65nC，输入电容（Ciss）最大值为72pF，这些低电荷和电容值显著降低了栅极驱动的功率需求，并有助于提升开关速度，减少开关过程中的损耗。此外，其栅源电压可承受±40V的冲击，提供了较强的抗干扰能力。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过专业的DIODES芯片代理渠道获取相关技术支持和库存信息。

凭借上述技术特点，该MOSFET非常适合应用于要求高压隔离和高效切换的领域。典型应用场景包括低功率AC-DC转换器中的初级侧开关、电子镇流器、继电器或电磁阀的驱动电路，以及作为高压线性稳压器的串联调整管。其SOT-223封装便于自动化贴装，适合空间受限的现代电子设备。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计在诸多成熟和备品备件方案中仍具有参考价值。

• 型号:ZVN4525GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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