ZVN4525ZTA

Diodes Incorporated推出的ZVN4525ZTA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在硅衬底上构建了金属氧化物半导体结构，实现了电压控制型场效应管的开关与放大功能。该器件采用紧凑的SOT-89-3表面贴装封装，在有限的物理空间内集成了高耐压的功率处理能力，其热设计考虑了在环境温度下的有效散热路径，以支持持续的功率耗散。

该MOSFET具备250V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够可靠地工作在存在电压尖峰或较高直流电压的电路中。其栅极驱动特性经过优化，栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为1.8V，且在2.4V至10V的栅极电压下即可获得较低的导通电阻，这意味着它既能与低电压逻辑电平（如3.3V或5V微控制器GPIO）良好兼容，也能在更高栅压下实现更优的导通性能。在10V Vgs、500mA Id条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为8.5欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为3.65nC，输入电容(Ciss)最大值为72pF，这些低电荷参数共同决定了极低的开关损耗和快速的开关速度，非常适合高频开关应用。

在电气接口与参数方面，ZVN4525ZTA的连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定为240mA，最大栅源电压(Vgs)可承受±40V，提供了较强的栅极过压耐受能力。其最大功率耗散为1.2W(Ta)，结合SOT-89封装的热性能，能够在-55°C至150°C的宽结温(TJ)范围内稳定工作。这些稳健的参数使其在设计中具有较高的安全裕度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借高耐压、低栅极驱动需求、快速开关以及小封装等特点，ZVN4525ZTA非常适合应用于空间受限且要求高效率的场合。典型应用包括离线式开关电源(SMPS)中的次级侧同步整流、DC-DC转换器中的功率开关、电池供电设备中的负载开关，以及LED照明驱动、电机控制预驱动级和各类工业控制电路中的高压侧或低压侧开关。其性能平衡了电压处理能力、开关效率与成本，是中小功率高压开关应用的实用选择。

• 型号:ZVN4525ZTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
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