ZVNL120ASTOA

ZVNL120ASTOA是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET工艺制造，其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关控制。其E-Line（TO-92兼容）通孔封装形式，为工程师在空间允许的传统PCB设计中提供了熟悉且易于手工焊接的选项，确保了良好的散热性能和机械稳定性。

该MOSFET的突出特性在于其200V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对反激式拓扑、离线式开关电源辅助绕组供电等场合中常见的电压应力。尽管其连续漏极电流（Id）额定值为180mA，属于小信号级别，但其极低的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为1.5V，以及3V至5V的驱动电压范围，意味着它可以被微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）或低压逻辑电路直接、高效地驱动，无需复杂的电平转换或驱动放大电路，极大地简化了系统设计。

在电气参数方面，ZVNL120ASTOA在10V栅源电压、250mA漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值为10欧姆。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为85pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为700mW，展现了良好的环境适应性。对于需要可靠货源和完整技术支持的客户，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

基于其高压、易驱动的特性，ZVNL120ASTOA非常适合应用于对成本和空间有一定要求的离线式AC-DC电源、LED驱动电源中的辅助电源开关、继电器或小型电磁阀的驱动电路、以及需要高压侧开关的电池管理系统（BMS）等场景。其设计平衡了性能、可靠性与经济性，是工程师在中小功率高压开关应用中的一个经典选择。

• 型号:ZVNL120ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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