ZVNL120GTA

ZVNL120GTA是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-223表面贴装器件中。该器件设计用于在高压、小电流的开关应用中提供可靠的性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在提升能效并降低开关损耗。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压(Vdss)，确保了在离线式电源、照明等高压环境下的稳定工作窗口。其320mA的连续漏极电流(Id)能力，配合低至10欧姆（在5V Vgs，250mA Id条件下）的导通电阻(Rds(on))，使其在小功率负载切换时能有效降低导通损耗，提升整体效率。器件具有较低的栅极阈值电压(Vgs(th))，典型值为1.5V @ 1mA，这意味着它能够与低电压逻辑电平（如3.3V或5V微控制器）直接兼容，简化了驱动电路设计，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动芯片。

在动态特性方面，ZVNL120GTA的输入电容(Ciss)典型值为85pF @ 25V，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关速度，减少开关过渡时间，从而在高频开关电源应用中降低开关损耗。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力，增强了系统的鲁棒性。器件的功率耗散能力为2W（环境温度Ta下），结合其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），使其能够适应严苛的工业环境温度波动。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品及全面的技术支持。

凭借其高压、低导通电阻和逻辑电平驱动的特性，ZVNL120GTA非常适用于一系列空间受限且要求高效率的应用场景。典型应用包括离线式开关电源(SMPS)中的辅助电源开关、功率因数校正(PFC)电路中的小电流支路、LED照明驱动器的功率开关、家用电器中的继电器或电磁阀驱动，以及工业控制系统中作为低侧开关驱动小型电机或螺线管。其SOT-223封装提供了良好的散热性能和较小的PCB占板面积，是紧凑型高密度设计的理想选择。

• 型号:ZVNL120GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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