DMTH4004LPS-13

作为一款面向严苛应用环境的功率开关解决方案，DMTH4004LPS-13采用了先进的沟槽式MOSFET技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件基于N沟道设计，其优化的单元结构显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时通过精心的布局设计有效控制了寄生电容，为高效率的能量转换奠定了物理基础。这种架构上的平衡，使得它在高频率开关与高电流承载能力之间取得了优异的折衷。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的电气性能上。其导通电阻（R_DS(on)）在10V V_GS驱动下典型值仅为2.5毫欧（@50A），这一极低的数值直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在82.2nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。其高达±20V的栅源电压（V_GS）容限也提供了更强的抗干扰能力和驱动设计灵活性。

在接口与关键参数方面，DIODES代理商提供的这款器件规格明确且稳健。其漏源电压（V_DSS）额定为40V，适用于常见的12V或24V总线系统。电流处理能力出色，在25°C环境温度下连续漏极电流（I_D）为26A，而在借助封装散热（壳温T_C）时可达100A，展现了强大的功率处理潜力。其采用PowerDI5060-8表面贴装封装，该封装具有优异的热性能，结合高达138W（T_C）的功率耗散能力，确保了器件在高负载下的可靠运行。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）以及符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，是其面向高可靠性市场的关键背书。

基于上述特性，DMTH4004LPS-13非常适合于对效率和可靠性有严格要求的应用场景。在汽车电子领域，它是电机驱动（如风扇、泵类）、LED照明驱动以及DC-DC转换器中理想的功率开关选择。在工业电源和服务器电源中，可用于同步整流、OR-ing功能或负载开关，其低R_DS(on)和高电流能力有助于提升电源模块的功率密度与效率。此外，在电池管理系统（BMS）和电动工具等需要高效功率控制的便携式设备中，其优异的性能也能得到充分发挥。

• 型号:DMTH4004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4508 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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