ZVP0120AS

ZVP0120AS是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构基于稳定的硅基工艺，在TO-92-3通孔封装内集成了高性能的功率开关单元。其栅极结构经过优化，能够在相对较低的驱动电压下实现有效的沟道导通，为设计工程师提供了一个在高压侧开关应用中控制小功率负载的可靠解决方案。

该MOSFET的关键特性在于其200V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够耐受较高的电压应力，适用于存在电压尖峰或反电动势的电路环境。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源电压（Vgs）和125mA漏极电流（Id）条件下最大值为32欧姆，确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路的设计。

在电气参数方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，ZVP0120AS在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为110mA，最大功耗为700mW。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为100pF，属于较低水平，有助于实现较快的开关速度并降低驱动电路的负担。器件栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极过压能力。标准的TO-92-3封装形式使其易于在实验板或PCB上进行手工或波峰焊接，具有良好的可制造性。

基于其高压、小电流的开关特性，ZVP0120AS非常适合应用于需要P沟道MOSFET进行高压侧负载切换或信号隔离的场合。典型应用包括低功率离线式电源的启动电路、继电器或电磁阀的驱动电路、电话线路中的振铃检测或极性保护电路，以及各类工业控制设备中的高压信号开关模块。尽管该产品系列已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量产品或维修替换市场中仍具参考价值。

• 型号:ZVP0120AS
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 110MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 欧姆 @ 125mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 现在可以订购ZVP0120AS，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。