ZVP0120ASTOB

ZVP0120ASTOB是一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET技术制造，其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关控制。其E-Line（TO-92兼容）通孔封装形式，为工程师在原型设计或成熟产品中提供了灵活且易于手工焊接的安装选项，尤其适合在空间和成本受限的应用中进行评估和部署。

作为一款高压P沟道MOSFET，其关键特性在于能够承受高达200V的漏源电压（Vdss），这使其在离线式电源、高压侧开关以及需要处理较高电压摆幅的电路中表现出色。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、125mA电流条件下最大值为32欧姆，结合110mA的连续漏极电流能力，确保了在中小电流负载下的高效能开关与较低的导通损耗。器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为3.5V，与标准的逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路的设计。

在电气参数方面，该器件在25V漏源电压下的输入电容（Ciss）最大值为100pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的功耗。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较强的抗电压尖峰能力。最大功率耗散为700mW，定义了其在特定热环境下的安全工作区。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取相关技术资料与库存信息。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格依然使其在特定的遗留系统维护或对成本极其敏感的新设计中占有一席之地。其典型应用场景包括高压小信号开关、电子镇流器、离线式开关电源的启动或辅助电路、以及工业控制设备中的高压侧负载切换。在这些场景中，ZVP0120ASTOB凭借其200V的耐压、TO-92封装的经济性以及P沟道器件在简化高压侧驱动拓扑方面的固有优势，为设计工程师提供了一个经过验证的解决方案。

• 制造商产品型号：ZVP0120ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 110MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 欧姆 @ 125mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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