ZVP0545GTC

ZVP0545GTC是Diodes Incorporated推出的一款高压P沟道增强型功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。该器件采用表面贴装型SOT-223封装，在紧凑的物理尺寸内实现了高压隔离与可靠的功率处理能力，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于宽温环境下的稳定运行。

该芯片的核心架构基于垂直导电结构，其450V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中常见的电压应力。作为P沟道器件，它在高侧开关应用中能简化驱动电路，因为其栅极相对于源极施加负电压即可导通。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了足够的驱动裕量，同时10V的栅极驱动电压即可确保器件进入低阻导通状态。

在电气特性方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，ZVP0545GTC在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为75mA。当栅源电压为10V、漏极电流为50mA时，其导通电阻（Rds(On)）最大值为150欧姆。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（测试条件为Id=1mA），这一特性有助于确保器件在噪声环境下的抗误触发能力。此外，在Vds=25V条件下，其输入电容（Ciss）最大值为120pF，较低的栅极电荷需求有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。

该器件的最大功耗为2W（Ta=25°C），结合其SOT-223封装良好的热性能，使其能在中小功率应用中有效管理热量。其典型应用场景包括高压小信号开关、离线式开关电源的启动或辅助电源电路、电子镇流器以及需要高压P-MOSFET作为高侧开关或负载开关的工业控制模块。尽管该产品系列已处于停产状态，但其设计在诸多成熟且要求长期供应的工业产品中仍具参考价值。

• 型号:ZVP0545GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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