ZVP2106ASTZ

ZVP2106ASTZ是Diodes Incorporated推出的一款采用P沟道增强型MOSFET技术的分立半导体器件。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，其核心在于利用金属氧化物半导体结构，通过在栅极施加电压来控制P型沟道的形成与关断，从而实现高效的电子开关功能。其结构设计优化了载流子迁移路径，旨在提供稳定的低压驱动与开关性能。

该器件的一个显著特性是其60V的漏源击穿电压（Vdss），这为其在多种电压环境中提供了可靠的安全裕度。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压、500mA漏极电流条件下典型值为5欧姆，结合仅280mA的连续漏极电流（Id）能力，表明它专为中小功率的信号切换或负载控制场景而优化。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，确保了与常见逻辑电平（如5V或3.3V系统）的良好兼容性，能够被微控制器或数字逻辑电路直接、简便地驱动，无需复杂的电平转换或驱动放大电路，简化了系统设计。

在接口与参数方面，ZVP2106ASTZ采用经典的TO-92兼容E-Line通孔封装，便于在原型开发或对空间要求不极端苛刻的PCB上进行手工或波峰焊接。其输入电容（Ciss）在18V漏源电压下最大为100pF，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为700mW，展现了良好的环境适应性与鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取正品器件与技术支持。

基于其技术参数，ZVP2106ASTZ非常适用于各类低侧开关或高侧开关应用。典型场景包括电池供电设备中的电源路径管理或负载开关，用于实现系统的低功耗待机；在模拟或数字电路中作为信号路由或选通开关；亦或是用于驱动小型继电器、LED灯组等感性或阻性负载。其P沟道特性使得在需要以电源轨作为参考进行高端驱动的电路中，可以简化电路拓扑，避免使用额外的电荷泵或电平移位电路，是设计紧凑、成本敏感型电子系统的理想选择。

• 型号:ZVP2106ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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