ZVP2120ASTOA

ZVP2120ASTOA 是一款由 Diodes Incorporated 设计生产的 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件采用成熟的平面型 MOSFET 技术，其核心架构基于硅半导体工艺，通过在栅极施加电压来控制 P 型导电沟道的形成与关断，从而实现高效的信号开关与功率控制功能。其结构设计确保了在高压环境下稳定的载流子迁移与较低的漏电流特性。

该 MOSFET 具备 200V 的高漏源击穿电压 (Vdss)，使其能够耐受较高的反向电压，适用于存在电压尖峰或感性负载的应用环境。其 导通电阻 (Rds(On)) 在 10V 栅源驱动电压、150mA 漏极电流条件下典型值为 25 欧姆，这一特性有助于在导通状态下降低功耗，提升整体能效。器件的栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 3.5V，确保了与标准逻辑电平或微控制器 I/O 口的良好兼容性，便于直接驱动。其输入电容 (Ciss) 较低，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。

在电气接口与参数方面，Diodes Incorporated 的这款器件在 25°C 环境温度下可连续通过 120mA 的漏极电流 (Id)，最大允许栅源电压 (Vgs) 为 ±20V，提供了安全的驱动裕量。其采用经典的 E-Line (TO-92 兼容) 通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于在原型设计或小批量生产中进行手工焊接与安装。器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，能够适应严苛的工业温度环境。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过专业的 DIODES芯片代理 渠道获取相关产品信息与技术支持。

凭借其高压、小电流的控制特性，ZVP2120ASTOA 非常适合应用于需要高压侧开关或信号电平转换的场合。典型应用包括低功率开关电源中的启动或辅助电路、电子镇流器、通信设备中的信号切换，以及工业控制系统中作为继电器或较大功率器件的驱动接口。其通孔封装形式也使其常见于消费电子、仪器仪表及各类板级电源管理模块中，作为可靠的固态开关元件。

• 制造商产品型号：ZVP2120ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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