ZVP2120ASTZ

Diodes Incorporated推出的ZVP2120ASTZ是一款采用P沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件。其核心架构基于成熟的平面MOS工艺，在硅衬底上构建了稳定的金属氧化物半导体结构，确保了在高压环境下栅极控制的可靠性与隔离性。该器件采用经典的TO-92-3通孔封装，这种封装形式不仅提供了良好的机械强度和散热路径，也便于在原型设计或小批量生产中进行手工焊接与测试，是工程师在高压、小电流应用中的经典选择。

在电气特性方面，ZVP2120ASTZ的突出特点是其200V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业控制、离线式电源辅助电路等场合中常见的电压应力和尖峰。其导通电阻(Rds(On))在10V驱动电压、150mA漏极电流条件下最大值为25欧姆，结合仅100pF的典型输入电容(Ciss)，意味着器件具备较快的开关速度和较低的栅极驱动损耗，有利于提升系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

该器件的接口设计简洁，三个引脚分别对应栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业与汽车环境温度变化。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为120mA，最大功耗为700mW，这些参数定义了其适用的功率等级。栅源电压(Vgs)被限制在±20V以内，为设计中的栅极保护电路提供了明确的设计边界。对于需要稳定供货和完整技术支持的项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链可靠的重要途径。

基于其高压、小电流和逻辑电平驱动的特性，ZVP2120ASTZ非常适合用于高压侧开关、信号切换、继电器或固态继电器驱动、以及离线式开关电源(SMPS)中的启动或缓冲电路。例如，在智能家居的继电器控制板中，它可用于直接切换交流主回路的小电流信号；在工业PLC的数字输出模块中，它能作为隔离光耦或数字隔离器后级的功率输出级。其TO-92封装也使其常见于各类适配器、充电器内部的辅助电源管理电路中，扮演着可靠的高压开关角色。

• 型号:ZVP2120ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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