ZVP2120GTA

ZVP2120GTA是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-223表面贴装器件中。其核心架构基于稳定的硅栅工艺，确保了在高压环境下栅极氧化层的可靠性与长期稳定性。该器件设计用于在单极电源系统中作为高效的负载开关或功率路径管理元件，其P沟道特性使得在由正电源直接驱动栅极以实现关断的应用中，能够简化电路设计，无需额外的电荷泵或电平转换电路。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压(Vdss)和200mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够在诸如离线式电源辅助电源、工业控制电源总线等存在电压尖峰的环境中稳定工作。其导通电阻在10V栅源驱动电压(Vgs)、150mA漏极电流条件下最大值为25欧姆，结合最大仅100pF的输入电容(Ciss)，意味着器件具备较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在接口与参数方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，ZVP2120GTA的工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2W（在环境温度Ta下），这保证了其在严苛温度环境下的鲁棒性。SOT-223封装提供了良好的散热能力与紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB设计。其驱动电压要求为10V以获得最低导通电阻，这需要在设计栅极驱动电路时予以保证。

得益于其高压、低电流开关的特性与P沟道结构，ZVP2120GTA非常适合一系列特定的应用场景。它常被用于AC-DC开关电源的启动电路或待机电源电路中，作为高压侧开关。在工业自动化设备的电源管理模块、电池备份系统的电源切换以及通信设备的热插拔保护电路中，它也能可靠地执行电源通断控制功能。其设计平衡了电压耐受能力、开关性能与封装尺寸，为工程师在高压、小电流开关应用领域提供了一个可靠且节省空间的解决方案。

• 型号:ZVP2120GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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