ZVP3310ASTOA

ZVP3310ASTOA是Diodes Incorporated推出的一款采用E-Line（TO-92兼容）通孔封装的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高压下的可靠开关控制与简洁的驱动设计。其栅极结构经过优化，能够在相对较低的驱动电压下实现沟道的有效形成与关断，这对于简化外围电路、降低系统整体功耗具有积极意义。

该MOSFET的显著功能特点体现在其电气参数上。它具备100V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式电源适配器、家用电器辅助电源等存在电压尖峰的应用中提供了充足的安全裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为140mA，适用于中小功率的开关或线性调节场景。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源电压（Vgs）、150mA漏极电流条件下典型值为20欧姆，这一特性有助于在导通状态下控制功耗和温升。栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V（在1mA测试条件下），意味着它能够与标准的5V或3.3V逻辑电平直接兼容，无需复杂的电平转换电路，极大地方便了由微控制器（MCU）或数字逻辑电路进行的直接驱动。

在接口与关键参数方面，DIODES代理提供的技术资料显示，ZVP3310ASTOA的栅极可承受高达±20V的电压，为驱动设计提供了灵活性并增强了抗干扰能力。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为50pF，属于较低水平，这有助于实现快速的开关切换并减少栅极驱动电路的负担。器件采用经典的TO-92兼容E-Line三引脚通孔封装，便于在实验板（面包板）上进行原型设计或应用于传统的通孔印刷电路板（PCB）。其最大功耗为625mW（Ta），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在苛刻环境下的稳定运行潜力。

综合其技术规格，ZVP3310ASTOA非常适合应用于需要高压侧开关、负载切换或信号路径选择的场合。典型应用包括低功率AC-DC开关电源中的启动或待机电路、电池供电设备中的电源管理模块、工业控制板卡中的继电器或指示灯驱动，以及汽车电子中的辅助功能控制。其高耐压、逻辑电平驱动及通孔封装的组合，使其成为工程师在开发或维护中低功率、高可靠性电子系统时一个值得考虑的经典分立器件选项。

• 型号:ZVP3310ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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