ZVP3310ASTOB

作为一款采用P通道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，ZVP3310ASTOB采用了成熟的平面MOSFET工艺。其核心架构基于金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过施加负向栅源电压来形成导电沟道，实现对负载电流的开关控制。该器件设计用于在中等电压下提供可靠的开关性能，其内部结构优化了载流子迁移路径，有助于在规定的电气参数内实现稳定的导通与关断特性。

该器件具备多项关键电气特性，使其在特定应用中表现出色。其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，提供了良好的电压裕量，增强了系统在电压波动下的可靠性。在驱动方面，它采用10V的标准逻辑电平驱动，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，这意味着它能与常见的微控制器或逻辑电路直接兼容，简化了驱动电路设计。在导通状态下，其导通电阻(Rds(on))在150mA电流和10V驱动电压下典型值为20欧姆，这对于其电流等级而言，有助于降低导通损耗。此外，其输入电容(Ciss)较低，典型值为50pF，这有助于实现较快的开关速度并降低栅极驱动功耗。

在接口与参数方面，ZVP3310ASTOB采用经典的TO-92兼容的E-Line通孔封装，便于在实验板或PCB上进行手工焊接或波峰焊。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定值为140mA，最大功耗为625mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。栅源电压可承受±20V的最大值，为栅极驱动提供了安全保护。对于需要可靠货源和技术支持的工程师，可以通过DIODES中国代理获取详细的产品资料和采购信息。

凭借其100V的耐压能力、逻辑电平驱动的便利性以及TO-92封装的通用性，该器件非常适合用于各种低功率开关和接口电路。典型的应用场景包括作为微控制器I/O口的负载开关，用于控制小型继电器、LED灯组或蜂鸣器；在模拟开关或信号路径选择电路中，利用其P沟道特性实现高侧开关功能；亦可用于电源管理模块中的辅助开关或保护电路。其宽温工作范围也使其能适应工业控制、汽车电子附属模块及消费类电子产品中的非核心功率控制环节。

• 型号:ZVP3310ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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