ZXM61P02FTC

ZXM61P02FTC是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术制造，其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过优化沟道设计和掺杂工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其栅极氧化层经过特别处理，确保了稳定的阈值电压和可靠的长期工作特性。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和900mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够胜任多种低压、中电流的开关与功率调节任务。其导通电阻(Rds(on))在Vgs为4.5V、Id为610mA的条件下典型值仅为600毫欧，这一低导通阻抗特性有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动要求适中，最大栅源电压(Vgs)为±12V，而典型的阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1.5V，这意味着它能够与多种低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，ZXM61P02FTC表现出色。其栅极总电荷(Qg)在Vgs=4.5V时最大值仅为3.5nC，结合约150pF的输入电容(Ciss)，使得开关过程中的充放电时间极短，有利于实现高频开关操作，并降低开关损耗。器件采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，占板面积小，非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并能在环境温度下耗散最高625mW的功率，展现了良好的环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的DIODES芯片代理获取该产品的技术支持和库存信息。

综合其参数与特性，这款MOSFET非常适合应用于空间受限、对效率有要求的低压便携式电子设备中。典型应用场景包括电源管理模块中的负载开关、电池供电设备的功率路径控制、DC-DC转换器的同步整流或低侧开关，以及电机驱动、LED调光等需要快速开关的电路。其易于驱动的特性和稳健的性能，使其成为工程师在低压领域进行功率接口设计的常用选择之一。

• 型号:ZXM61P02FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 610mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购ZXM61P02FTC，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。