ZXM64P035GTA

ZXM64P035GTA是Diodes Incorporated推出的一款P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装于紧凑的SOT-223表面贴装器件中。其核心架构基于稳健的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，确保了在开关和线性应用中的可靠性能。该器件专为在低栅极驱动电压下实现高效能而优化，其沟道设计有效降低了导通电阻，从而在功率转换过程中显著减少了传导损耗。

在功能特性上，该MOSFET的最大漏源电压(Vdss)为35V，能够满足多种中低压应用场景的需求。其连续漏极电流在环境温度(Ta)下可达3.8A，而在管壳温度(Tc)下更能达到5.3A，展现了出色的电流承载能力。一个关键优势在于其极低的导通电阻(Rds(on))，在10V Vgs和2.4A Id的条件下，典型值仅为75毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且驱动电压范围宽（4.5V至10V以获得最小Rds(on)），使其能够轻松兼容3.3V和5V逻辑电平，简化了驱动电路设计。

该器件的接口与动态参数同样经过精心考量。其栅极电荷(Qg)最大值仅为46nC @ 10V，输入电容(Ciss)最大值为825pF @ 25V，这些低电荷特性有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗，并减轻对栅极驱动器的要求。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗噪性和可靠性裕度。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，适应严苛的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取相关产品信息与技术支持。

基于其综合性能，ZXM64P035GTA非常适合应用于需要高效功率管理和开关控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源管理单元(PMU)的功率路径控制、电机驱动电路中的预驱动、以及电池供电设备（如便携式工具、消费电子产品）中的电源反向保护与开关。其SOT-223封装在功率处理能力和PCB空间占用之间取得了良好平衡，是空间受限设计的理想选择。

• 型号:ZXM64P035GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 35V 3.8A/5.3A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta），5.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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